参考文献・出典リンク
公開URL・DOI・PDFリンクを中心に整理しています。
| ID | 文献 | 種別 | 位置づけ | リンク |
|---|---|---|---|---|
| REF-001 | Resist Metrology for Lithography Simulation, Part 1 C. A. Mack | Paper / PDF | 露光パラメータ・現像パラメータの測定とリソグラフィシミュレーションの基礎。 | Link |
| REF-002 | Fundamental Principles of Optical Lithography C. A. Mack | Book | 光リソグラフィの代表的な基礎書。 | Link |
| REF-003 | Absorption and exposure kinetics of photoresists at EUV R. Fallica et al. | Paper | EUVでの吸収・露光速度論。 | Link |
| REF-004 | Photoresist Bleaching and the Dill Parameters SPIE Field Guide | Book section | Dillパラメータと漂白モデルの解説。 | Link |
| REF-005 | Enhanced Dill exposure model for thick photoresist lithography S. Liu et al. | Paper | 厚膜レジスト向けDillモデル拡張。 | Link |
| REF-006 | Measurements of the Reaction-Diffusion Front of Model Chemically Amplified Photoresists B. D. Vogt et al. | NIST / Paper | 化学増幅レジストにおける反応拡散フロントの測定。 | Link |
| REF-007 | Lithographic Effects of Acid Diffusion in Chemically Amplified Resists C. A. Mack | Paper / PDF | 酸拡散がリソグラフィ性能に与える影響を数学モデルで整理。 | Link |
| REF-008 | Photoacid diffusion in chemically amplified photoresists Z. Hu et al. | Review / Paper | 化学増幅レジスト中の酸拡散に関する近年の公開レビュー/研究。 | Link |
| REF-009 | Influence of base additives on the reaction-diffusion front of model chemically amplified photoresists B. D. Vogt et al. | Paper | ベース添加剤が反応拡散フロントに与える影響。 | Link |
| REF-010 | Dissolution Rate Monitor Tool to Measure EUV Photoresist Dissolution Rate Y. Vesters et al. | Paper / PDF | EUVレジストの現像速度測定とMackモデルへのフィット。 | Link |
| REF-011 | Notch Model for Photoresist Dissolution C. A. Mack | Paper / PDF | Mackモデルで表現しきれない現像速度挙動への拡張。 | Link |
| REF-012 | Toward a universal resist dissolution model for lithography simulation C. A. Mack et al. | Paper / PDF | 複数の現像速度式と実験データの比較。 | Link |
| REF-013 | Stochastic approach to modeling photoresist development C. A. Mack | Paper | 現像の確率的モデル化とMackモデルとの関係。 | Link |
| REF-014 | A Review of Photoresist Materials for EUV Lithography J. Thackeray | Review | EUV材料、ストキャスティック性、材料課題に関するレビュー。 | Link |