1. 粗さが生まれる流れ
番号を押すと、統計ゆらぎから現像エッジまでを順番に確認できます。
1. 光子・電子数に統計ゆらぎがある
EUVでは吸収光子数や二次電子数が有限であり、局所イベント数にはPoisson型のばらつきが生じます。
σN/N ≈ 1/√N
2. PAG・クエンチャー分布も離散的である
局所的なPAG数、クエンチャー数、酸生成位置の違いが、酸像の空間的不均一につながります。
H₀(x,y)=Σ local acid events
3. PEBで揺らぎが平滑化・拡大される
酸拡散は高周波ノイズを平滑化する一方、境界ぼけや隣接領域への広がりも生みます。
∂H/∂t=D∇²H−kqHQ
4. 脱保護率分布に変換される
酸の時間積分と反応速度により、境界付近の脱保護率が場所ごとに異なります。
m(x,y)=∫k(T)H(x,y,t)dt
5. 現像境界が局所的に揺れる
脱保護率が現像速度へ変換され、局所的な速度差がエッジ位置の揺らぎになります。
R(x,y)=f(m(x,y))
6. エッジ揺らぎがLER/LWRになる
片側エッジの標準偏差がLER、左右エッジを含む線幅変動がLWRとして評価されます。
LER=σedge, LWR=σwidth