PRフォトレジスト知識体系Photoresist Knowledge System 利用条件
トップ›材料・反応›保護率と分布
PROTECTION DISTRIBUTION

保護率と分布

平均保護率と分布を分けて考え、脱保護反応・現像溶解性・CD・LER/LWRへの経路を整理します。

平均値だけでは表せない

化学増幅型ポジレジストでは、保護基の平均割合は溶解性と必要脱保護量を左右します。一方、同じ平均保護率でも、分子間・鎖内の配置や共重合シーケンスが異なれば、局所的な溶解性や反応場は同一とは限りません。

平均保護率 p̄ = Nprotected / Nsites

ランダム独立配置を基準モデルとして考える

各保護サイトが独立に確率 p で保護される単純モデルでは、1分子中の保護基数は二項分布を基準として考えられます。

E[K] = Np  Var(K) = Np(1−p)

これは理想化された基準モデルです。実際の共重合、反応履歴、分子量分布、保護反応の選択性等により相関や非ランダム性が生じ得ます。

性能までの経路

保護率・分布平均 + 分布
→
初期溶解性極性・現像耐性
→
脱保護必要量酸履歴
→
溶解速度像局所差
→
CD / LER境界・粗さ
MATERIAL / PROCESS

材料・反応ハブ

上流材料から現像までの中間状態を横断します。

RELATIONSHIP

関係マップ

原料・工程・性能の影響先を俯瞰します。

MODEL

モデル・根拠

式・仮定・適用範囲・文献を確認します。

EXPLORE

知識探索

ノードから上流・下流の経路を追跡します。